K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH086VB-BCWM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RAH086VB-BIQK por Samsung Electronics e K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,25 $44,55
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Organização da memória 2G x 8 2G x 8
Taxa de dados 4800 Mbps/pin 5600 Mbps
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
Encapsulamento 82FBGA FBGA-82
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) BCWM
ECC On-die ECC (DDR5 standard) On-die ECC
Interface DDR5 (CA reduced pin count) DDR5 (parallel)
Burst Length 16 / 32 32 (BL32, DDR5 standard)
Operating Mode DLL enabled —
Status RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) Compliant
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] Commercial temperature range (per datasheet)
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Tamanho da memória — 16 Gb
Tensão de alimentação — 1.1 V
Tipo de montagem — Surface Mount
Technology — DRAM (volatile)
Status do ciclo de vida — Active
Sub-channel Architecture — Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec)

Fichas técnicas e recursos

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