K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH086VB-BCWM Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RAH086VB-BIQK от Samsung Electronics и K4RAH086VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BCWM
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs DRAM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,25 $44,55
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Организация памяти 2G x 8 2G x 8
Скорость передачи данных 4800 Mbps/pin 5600 Mbps
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
Корпус 82FBGA FBGA-82
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) BCWM
ECC On-die ECC (DDR5 standard) On-die ECC
Интерфейс DDR5 (CA reduced pin count) DDR5 (parallel)
Burst Length 16 / 32 32 (BL32, DDR5 standard)
Operating Mode DLL enabled —
Статус RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) Compliant
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] Commercial temperature range (per datasheet)
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Размер памяти — 16 Gb
Напряжение питания — 1.1 V
Тип монтажа — Surface Mount
Technology — DRAM (volatile)
Статус жизненного цикла — Active
Sub-channel Architecture — Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену