K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH086VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VB-BIQK par Samsung Electronics et K4RAH086VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VB-BIQK | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,25 | $44,55 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 4800 Mbps/pin | 5600 Mbps |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| Boîtier | 82FBGA | FBGA-82 |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | BCWM |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | On-die ECC |
| Interface | DDR5 (CA reduced pin count) | DDR5 (parallel) |
| Burst Length | 16 / 32 | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | Compliant |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | Commercial temperature range (per datasheet) |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Tension d'alimentation | — | 1.1 V |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Technology | — | DRAM (volatile) |
| Statut du cycle de vie | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |