K4RAH086VE-BCWM vs K4RAH086VP-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VE-BCWM von Samsung Electronics und K4RAH086VP-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH086VE-BCWM | K4RAH086VP-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,60 | $0,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | — |
| Datenrate | 5600 Mbps | 5600 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Gehäuse | 82-ball FBGA | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Generation | DDR5 | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] | — |
| VDDQ Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ value] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Lebenszyklusstatus | Mass Production | Active |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Speichergröße | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| Versorgungsspannung | — | 1.1 V |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Technology | — | DRAM DDR5 |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| Application Segment | — | Industrial |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |