K4RAH086VE-BCWM vs K4RAH086VP-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VE-BCWM por Samsung Electronics y K4RAH086VP-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH086VE-BCWM | K4RAH086VP-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,60 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organización de memoria | 2G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | 5600 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Encapsulado | 82-ball FBGA | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Generation | DDR5 | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] | — |
| VDDQ Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ value] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Estado del ciclo de vida | Mass Production | Active |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| Tensión de alimentación | — | 1.1 V |
| Interfaz | — | Parallel |
| Technology | — | DRAM DDR5 |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| Application Segment | — | Industrial |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |