K4RAH086VE-BCWM vs K4RAH086VP-BCWM 比較

詳細な並列比較: K4RAH086VE-BCWM メーカー: Samsung Electronics および K4RAH086VP-BCWM メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4RAH086VE-BCWM K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM ✓ 生産中
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K4RAH086VP-BCWM K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4RAH086VE-BCWM K4RAH086VP-BCWM
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.60 $0.00
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
メモリ構成 2G x 8 —
データレート 5600 Mbps 5600 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
パッケージ 82-ball FBGA [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size]
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Generation DDR5 —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] —
VDDQ Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ value] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
ライフサイクル状態 Mass Production Active
Manufacturer Samsung Electronics —
メモリサイズ — 16 Gb
Memory Organization — 2G x 8
電源電圧 — 1.1 V
インターフェース — Parallel
Technology — DRAM DDR5
Memory Format — DRAM
Volatile / Non-Volatile — Volatile
Packaging — Tray
Application Segment — Industrial
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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