K4RAH086VE-BCWM vs K4RAH086VP-BCWM Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RAH086VE-BCWM por Samsung Electronics e K4RAH086VP-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4RAH086VE-BCWM | K4RAH086VP-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $7,60 | $0,00 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organização da memória | 2G x 8 | — |
| Taxa de dados | 5600 Mbps | 5600 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Encapsulamento | 82-ball FBGA | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Generation | DDR5 | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] | — |
| VDDQ Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ value] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Status do ciclo de vida | Mass Production | Active |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Tamanho da memória | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| Tensão de alimentação | — | 1.1 V |
| Interface | — | Parallel |
| Technology | — | DRAM DDR5 |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| Application Segment | — | Industrial |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |