K4RAH086VP-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VP-BCWM von Samsung Electronics und K4RBH086VB-BCQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH086VP-BCWM | K4RBH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Datenrate | 5600 Mbps/pin | 4800 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | — |
| Schnittstelle | Parallel | DDR5 (CA bus, ODECC) |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Gehäuse | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | FBGA-82 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] |
| Application Segment | Industrial | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Lebenszyklusstatus | Active | — |
| RoHS-Status | unknown | Compliant |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Density | — | 16 Gb |
| Speicherorganisation | — | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] |
| Power Supply Rails | — | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) |