K4RAH086VP-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK 比較

詳細な並列比較: K4RAH086VP-BCWM メーカー: Samsung Electronics および K4RBH086VB-BCQK メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4RAH086VP-BCWM K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4RAH086VP-BCWM K4RBH086VB-BCQK
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $0.00
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
メモリサイズ 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
データレート 5600 Mbps/pin 4800 Mbps
電源電圧 1.1 V —
インターフェース Parallel DDR5 (CA bus, ODECC)
Technology DRAM DDR5 —
Memory Format DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
パッケージ [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] FBGA-82
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]
Application Segment Industrial —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
ライフサイクル状態 Active —
RoHS ステータス unknown Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Density — 16 Gb
メモリ構成 — 2G x 8
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
On-die ECC — Yes
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)

データシート&リソース

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