K4RAH086VP-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VP-BCWM par Samsung Electronics et K4RBH086VB-BCQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VP-BCWM | K4RBH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Débit de données | 5600 Mbps/pin | 4800 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | — |
| Interface | Parallel | DDR5 (CA bus, ODECC) |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Boîtier | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | FBGA-82 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] |
| Application Segment | Industrial | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Statut du cycle de vie | Active | — |
| Statut RoHS | unknown | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Density | — | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] |
| Power Supply Rails | — | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) |