K4RAH086VP-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VP-BCWM por Samsung Electronics y K4RBH086VB-BCQK por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH086VP-BCWM | K4RBH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps/pin | 4800 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | — |
| Interfaz | Parallel | DDR5 (CA bus, ODECC) |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Encapsulado | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | FBGA-82 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] |
| Application Segment | Industrial | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Estado del ciclo de vida | Active | — |
| Estado RoHS | unknown | Compliant |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Density | — | 16 Gb |
| Organización de memoria | — | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] |
| Power Supply Rails | — | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) |