K4RAH165VB-BIQK vs K4RAH086VB-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH165VB-BIQK von Samsung Electronics und K4RAH086VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH165VB-BIQK | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $44,55 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Speicherorganisation | 1G x 16 | 2G x 8 |
| Datenrate | 4800 Mbps (MT/s) | 5600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| DLL Enabled Mode | Yes (spec mode per datasheet) | — |
| Gehäuse | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] | FBGA-82 |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | Commercial temperature range (per datasheet) |
| Marke | Samsung Semiconductor | — |
| Speichergröße | — | 16 Gb |
| Versorgungsspannung | — | 1.1 V |
| Schnittstelle | — | DDR5 (parallel) |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Technology | — | DRAM (volatile) |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| Burst Length | — | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Lebenszyklusstatus | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |