K4RAH165VB-BIQK vs K4RAH086VB-BCWM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RAH165VB-BIQK por Samsung Electronics e K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIQK K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RAH165VB-BIQK K4RAH086VB-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $44,55
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Organização da memória 1G x 16 2G x 8
Taxa de dados 4800 Mbps (MT/s) 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
On-Die ECC Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
DLL Enabled Mode Yes (spec mode per datasheet) —
Encapsulamento [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] FBGA-82
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] Commercial temperature range (per datasheet)
Marca Samsung Semiconductor —
Tamanho da memória — 16 Gb
Tensão de alimentação — 1.1 V
Interface — DDR5 (parallel)
Tipo de montagem — Surface Mount
Technology — DRAM (volatile)
Speed Grade — BCWM
ECC — On-die ECC
Burst Length — 32 (BL32, DDR5 standard)
Status RoHS — Compliant
Status do ciclo de vida — Active
Sub-channel Architecture — Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec)

Fichas técnicas e recursos

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