K4RAH165VB-BIQK vs K4RAH086VB-BCWM Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BIQK par Samsung Electronics et K4RAH086VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIQK K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RAH165VB-BIQK K4RAH086VB-BCWM
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $44,55
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Organisation de la mémoire 1G x 16 2G x 8
Débit de données 4800 Mbps (MT/s) 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
On-Die ECC Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
DLL Enabled Mode Yes (spec mode per datasheet) —
Boîtier [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] FBGA-82
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] Commercial temperature range (per datasheet)
Marque Samsung Semiconductor —
Taille de mémoire — 16 Gb
Tension d'alimentation — 1.1 V
Interface — DDR5 (parallel)
Type de montage — Surface Mount
Technology — DRAM (volatile)
Speed Grade — BCWM
ECC — On-die ECC
Burst Length — 32 (BL32, DDR5 standard)
Statut RoHS — Compliant
Statut du cycle de vie — Active
Sub-channel Architecture — Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec)

Fiches techniques et ressources

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