K4RAH165VB-BIQK vs K4RAH086VB-BCWM Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RAH165VB-BIQK от Samsung Electronics и K4RAH086VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIQK K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RAH165VB-BIQK K4RAH086VB-BCWM
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs DRAM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $44,55
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Организация памяти 1G x 16 2G x 8
Скорость передачи данных 4800 Mbps (MT/s) 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
On-Die ECC Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
DLL Enabled Mode Yes (spec mode per datasheet) —
Корпус [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] FBGA-82
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] Commercial temperature range (per datasheet)
Бренд Samsung Semiconductor —
Размер памяти — 16 Gb
Напряжение питания — 1.1 V
Интерфейс — DDR5 (parallel)
Тип монтажа — Surface Mount
Technology — DRAM (volatile)
Speed Grade — BCWM
ECC — On-die ECC
Burst Length — 32 (BL32, DDR5 standard)
Статус RoHS — Compliant
Статус жизненного цикла — Active
Sub-channel Architecture — Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену