K4RAH165VB-BIWM vs K4RAH165VB-BCQK Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4RAH165VB-BIWM von Samsung Electronics und K4RAH165VB-BCQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BCQK
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $0,00
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Speicherorganisation 1G x 16 —
Datenrate 5600 Mbps 4800 Mbps
Versorgungsspannung 1.1 V —
Gehäuse 106-ball FBGA 106-ball FBGA
Betriebstemperatur 0C to +85C 0C to +85C
On-Die ECC Yes (per K4RAH165VB family datasheet) —
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
DLL DLL enabled mode of operation (per datasheet) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Standard Packaging 1000 units —
RoHS-Status Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speichergröße — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Error Correction — On-die ECC
Eigenschaften — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
Lebenszyklusstatus — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

Datenblätter & Ressourcen

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