K4RAH165VB-BIWM vs K4RAH165VB-BCQK Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RAH165VB-BIWM от Samsung Electronics и K4RAH165VB-BCQK от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BCQK
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $0,00
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Организация памяти 1G x 16 —
Скорость передачи данных 5600 Mbps 4800 Mbps
Напряжение питания 1.1 V —
Корпус 106-ball FBGA 106-ball FBGA
Рабочая температура 0C to +85C 0C to +85C
On-Die ECC Yes (per K4RAH165VB family datasheet) —
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
DLL DLL enabled mode of operation (per datasheet) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Standard Packaging 1000 units —
Статус RoHS Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Размер памяти — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Error Correction — On-die ECC
Особенности — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
Статус жизненного цикла — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену