K4RAH165VB-BIWM vs K4RAH165VB-BCQK 比較

詳細な並列比較: K4RAH165VB-BIWM メーカー: Samsung Electronics および K4RAH165VB-BCQK メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BCQK
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $0.00
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
メモリ構成 1G x 16 —
データレート 5600 Mbps 4800 Mbps
電源電圧 1.1 V —
パッケージ 106-ball FBGA 106-ball FBGA
動作温度 0C to +85C 0C to +85C
On-Die ECC Yes (per K4RAH165VB family datasheet) —
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
DLL DLL enabled mode of operation (per datasheet) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Standard Packaging 1000 units —
RoHS ステータス Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) [DATA_NEEDED: RoHS status]
メモリサイズ — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Error Correction — On-die ECC
特長 — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
ライフサイクル状態 — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

データシート&リソース

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