K4RBH086VB-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RBH086VB-BCWM von Samsung Electronics und K4RHE165VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4RBH086VB-BCWM | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 24 Gb (3 GB) |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | 1.1 V |
| Datenrate | [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)] | 5600 Mbps |
| Schnittstelle | Parallel, DDR5 | DDR5 (parallel, DDR) |
| Gehäuse | 82-FBGA | 106 FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Betriebstemperatur | 0 C to 85 C | 0 to 85 C |
| Product Status | Mass Production | Mass Production |
| Memory Format | Volatile (DRAM) | — |
| Technology | DDR5 SDRAM | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| On-Die ECC | Yes (per JEDEC DDR5 specification) | — |
| Access Type | — | Synchronous |
| Clock Rate (nominal) | — | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) |
| Ball Count | — | 106 |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] |