K4RBH086VB-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM 比較

詳細な並列比較: K4RBH086VB-BCWM メーカー: Samsung Electronics および K4RHE165VB-BCWM メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4RBH086VB-BCWM K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung

K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung

K4RBH086VB-BCWM ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4RBH086VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $0.00
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 24 Gb (3 GB)
メモリ構成 2G x 8 1G x 16
電源電圧 1.1 V 1.1 V
データレート [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)] 5600 Mbps
インターフェース Parallel, DDR5 DDR5 (parallel, DDR)
パッケージ 82-FBGA 106 FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (BGA)
動作温度 0 C to 85 C 0 to 85 C
Product Status Mass Production Mass Production
Memory Format Volatile (DRAM) —
Technology DDR5 SDRAM —
Manufacturer Samsung Semiconductor —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
On-Die ECC Yes (per JEDEC DDR5 specification) —
Access Type — Synchronous
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

データシート&リソース

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