K4RBH086VB-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RBH086VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RHE165VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung
K4RBH086VB-BCWM ✓ ActivoSamsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4RBH086VB-BCWM | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 24 Gb (3 GB) |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Velocidad de datos | [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)] | 5600 Mbps |
| Interfaz | Parallel, DDR5 | DDR5 (parallel, DDR) |
| Encapsulado | 82-FBGA | 106 FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Temperatura de funcionamiento | 0 C to 85 C | 0 to 85 C |
| Product Status | Mass Production | Mass Production |
| Memory Format | Volatile (DRAM) | — |
| Technology | DDR5 SDRAM | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| On-Die ECC | Yes (per JEDEC DDR5 specification) | — |
| Access Type | — | Synchronous |
| Clock Rate (nominal) | — | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) |
| Ball Count | — | 106 |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] |