K4RBH086VB-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RBH086VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RHE165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RBH086VB-BCWM | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 24 Gb (3 GB) |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)] | 5600 Mbps |
| Interface | Parallel, DDR5 | DDR5 (parallel, DDR) |
| Boîtier | 82-FBGA | 106 FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Température de fonctionnement | 0 C to 85 C | 0 to 85 C |
| Product Status | Mass Production | Mass Production |
| Memory Format | Volatile (DRAM) | — |
| Technology | DDR5 SDRAM | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| On-Die ECC | Yes (per JEDEC DDR5 specification) | — |
| Access Type | — | Synchronous |
| Clock Rate (nominal) | — | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) |
| Ball Count | — | 106 |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] |