K4RCH046VM-2CCM vs K4RHE086VB-BCWM Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4RCH046VM-2CCM von Samsung Electronics und K4RHE086VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4RCH046VM-2CCM K4RCH046VM-2CCM - DDR5 32Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RCH046VM-2CCM - DDR5 32Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RCH046VM-2CCM Nrnd
Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4RCH046VM-2CCM K4RHE086VB-BCWM
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus NRND Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $7,65
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 32 Gb 24 Gb
Speicherorganisation 4G x 4 2G x 8
Datenrate 5600 Mbps 5600 Mbps
Versorgungsspannung 1.1 V 1.1 V
Betriebstemperatur 0 to 85 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gehäuse 78-ball FBGA 82 FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Product Status Sample —
Access Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Schnittstellentyp [DATA_NEEDED: interface type] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
On-Die ECC [DATA_NEEDED: on-die ECC support] [DATA_NEEDED: on-die ECC support]
Schnittstelle — DDR5 (JEDEC)
Configuration — x8
Application Segment — Server / Data Center / Premium PC
Manufacturer — Samsung Semiconductor
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]

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