K4RCH046VM-2CCM vs K4RHE086VB-BCWM Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RCH046VM-2CCM от Samsung Electronics и K4RHE086VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RCH046VM-2CCM K4RCH046VM-2CCM - DDR5 32Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RCH046VM-2CCM - DDR5 32Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RCH046VM-2CCM Nrnd
Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RCH046VM-2CCM K4RHE086VB-BCWM
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла NRND Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $7,65
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 32 Gb 24 Gb
Организация памяти 4G x 4 2G x 8
Скорость передачи данных 5600 Mbps 5600 Mbps
Напряжение питания 1.1 V 1.1 V
Рабочая температура 0 to 85 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Корпус 78-ball FBGA 82 FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Product Status Sample —
Access Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Тип интерфейса [DATA_NEEDED: interface type] —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
On-Die ECC [DATA_NEEDED: on-die ECC support] [DATA_NEEDED: on-die ECC support]
Интерфейс — DDR5 (JEDEC)
Configuration — x8
Application Segment — Server / Data Center / Premium PC
Manufacturer — Samsung Semiconductor
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену