K4RCH046VM-2CCM vs K4RHE086VB-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RCH046VM-2CCM por Samsung Electronics y K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RCH046VM-2CCM | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | NRND | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $7,65 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 32 Gb | 24 Gb |
| Organización de memoria | 4G x 4 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0 to 85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 82 FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Product Status | Sample | — |
| Access Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Tipo de interfaz | [DATA_NEEDED: interface type] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Interfaz | — | DDR5 (JEDEC) |
| Configuration | — | x8 |
| Application Segment | — | Server / Data Center / Premium PC |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |