K4RCH046VM-2CCM vs K4RHE086VB-BCWM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RCH046VM-2CCM por Samsung Electronics e K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RCH046VM-2CCM K4RCH046VM-2CCM - DDR5 32Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RCH046VM-2CCM - DDR5 32Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RCH046VM-2CCM Nrnd
Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RCH046VM-2CCM K4RHE086VB-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida NRND Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $7,65
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 32 Gb 24 Gb
Organização da memória 4G x 4 2G x 8
Taxa de dados 5600 Mbps 5600 Mbps
Tensão de alimentação 1.1 V 1.1 V
Temperatura de operação 0 to 85 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento 78-ball FBGA 82 FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Product Status Sample —
Access Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Tipo de interface [DATA_NEEDED: interface type] —
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
On-Die ECC [DATA_NEEDED: on-die ECC support] [DATA_NEEDED: on-die ECC support]
Interface — DDR5 (JEDEC)
Configuration — x8
Application Segment — Server / Data Center / Premium PC
Manufacturer — Samsung Semiconductor
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]

Fichas técnicas e recursos

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