K4RHE165VB-BCWM vs K4RCH046VM-2CCM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RHE165VB-BCWM von Samsung Electronics und K4RCH046VM-2CCM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RHE165VB-BCWM | K4RCH046VM-2CCM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | NRND |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb (3 GB) | 32 Gb |
| Speicherorganisation | 1G x 16 | 4G x 4 |
| Datenrate | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | 1.1 V |
| Gehäuse | 106 FBGA | 78-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0 to 85 C | 0 to 85 C |
| Product Status | Mass Production | Sample |
| Schnittstelle | DDR5 (parallel, DDR) | — |
| Access Type | Synchronous | — |
| Clock Rate (nominal) | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) | — |
| Ball Count | 106 | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] | — |
| Access Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Schnittstellentyp | — | [DATA_NEEDED: interface type] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |