K4RHE165VB-BCWM vs K4RCH046VM-2CCM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RHE165VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RCH046VM-2CCM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RHE165VB-BCWM | K4RCH046VM-2CCM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | NRND |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb (3 GB) | 32 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 16 | 4G x 4 |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Encapsulado | 106 FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0 to 85 C | 0 to 85 C |
| Product Status | Mass Production | Sample |
| Interfaz | DDR5 (parallel, DDR) | — |
| Access Type | Synchronous | — |
| Clock Rate (nominal) | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) | — |
| Ball Count | 106 | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] | — |
| Access Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Tipo de interfaz | — | [DATA_NEEDED: interface type] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |