K4RHE165VB-BCWM vs K4RCH046VM-2CCM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RHE165VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RCH046VM-2CCM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RHE165VB-BCWM | K4RCH046VM-2CCM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | NRND |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb (3 GB) | 32 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | 4G x 4 |
| Débit de données | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Boîtier | 106 FBGA | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0 to 85 C | 0 to 85 C |
| Product Status | Mass Production | Sample |
| Interface | DDR5 (parallel, DDR) | — |
| Access Type | Synchronous | — |
| Clock Rate (nominal) | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) | — |
| Ball Count | 106 | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] | — |
| Access Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Type d'interface | — | [DATA_NEEDED: interface type] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |