K4RHE165VB-BCWM vs K4RCH046VM-2CCM Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RHE165VB-BCWM por Samsung Electronics e K4RCH046VM-2CCM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4RHE165VB-BCWM | K4RCH046VM-2CCM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | NRND |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb (3 GB) | 32 Gb |
| Organização da memória | 1G x 16 | 4G x 4 |
| Taxa de dados | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.1 V | 1.1 V |
| Encapsulamento | 106 FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0 to 85 C | 0 to 85 C |
| Product Status | Mass Production | Sample |
| Interface | DDR5 (parallel, DDR) | — |
| Access Type | Synchronous | — |
| Clock Rate (nominal) | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) | — |
| Ball Count | 106 | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] | — |
| Access Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Tipo de interface | — | [DATA_NEEDED: interface type] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |