K6X0808C1D-BF55 vs K6X1008C2D-TF55 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K6X0808C1D-BF55 von Samsung Electronics und K6X1008C2D-TF55 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ AktivSamsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ AbgekündigtSpezifikationsvergleich
| Parameter | K6X0808C1D-BF55 | K6X1008C2D-TF55 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Ende des Lebenszyklus |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,85 | $2,35 |
| Speichertyp | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 256 Kbit | 1 Mbit |
| Speicherorganisation | 32K x 8 | 128K x 8 |
| Access Time | 55 ns | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Versorgungsspannung | 5 V | — |
| Technology | CMOS | Low Power Full CMOS |
| Gehäuse | 28-SOP | 32-TSOP REVERSE |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | 35 mA |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| Memory Format | SRAM | Volatile (SRAM) |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| RoHS-Status | unknown | RoHS: Yes (per distributor listing) |
| Access Time (tAA) | — | 55 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Speed Options | — | 55 ns, 70 ns |