K6X0808C1D-BF55 vs K6X1008C2D-TF55 比較
詳細な並列比較: K6X0808C1D-BF55 メーカー: Samsung Electronics および K6X1008C2D-TF55 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | K6X0808C1D-BF55 | K6X1008C2D-TF55 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 製造終了 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.85 | $2.35 |
| メモリタイプ | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| メモリサイズ | 256 Kbit | 1 Mbit |
| メモリ構成 | 32K x 8 | 128K x 8 |
| Access Time | 55 ns | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| 電源電圧 | 5 V | — |
| Technology | CMOS | Low Power Full CMOS |
| パッケージ | 28-SOP | 32-TSOP REVERSE |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | 35 mA |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| Memory Format | SRAM | Volatile (SRAM) |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| RoHS ステータス | unknown | RoHS: Yes (per distributor listing) |
| Access Time (tAA) | — | 55 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Speed Options | — | 55 ns, 70 ns |