K6X0808C1D-BF55 vs K6X1008C2D-TF55 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6X0808C1D-BF55 제조: Samsung Electronics 및 K6X1008C2D-TF55 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K6X0808C1D-BF55 | K6X1008C2D-TF55 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.85 | $2.35 |
| 메모리 유형 | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 256 Kbit | 1 Mbit |
| 메모리 구성 | 32K x 8 | 128K x 8 |
| Access Time | 55 ns | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 공급 전압 | 5 V | — |
| Technology | CMOS | Low Power Full CMOS |
| 패키지 | 28-SOP | 32-TSOP REVERSE |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | 35 mA |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| Memory Format | SRAM | Volatile (SRAM) |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| RoHS 상태 | unknown | RoHS: Yes (per distributor listing) |
| Access Time (tAA) | — | 55 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Speed Options | — | 55 ns, 70 ns |