K6X0808C1D-BF55 vs K6X1008C2D-TF55 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-BF55 par Samsung Electronics et K6X1008C2D-TF55 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ ActifSamsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ Fin de vieComparaison des spécifications
| Paramètre | K6X0808C1D-BF55 | K6X1008C2D-TF55 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Fin de vie |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,85 | $2,35 |
| Type de mémoire | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| Taille de mémoire | 256 Kbit | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 | 128K x 8 |
| Access Time | 55 ns | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Tension d'alimentation | 5 V | — |
| Technology | CMOS | Low Power Full CMOS |
| Boîtier | 28-SOP | 32-TSOP REVERSE |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | 35 mA |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| Memory Format | SRAM | Volatile (SRAM) |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| Statut RoHS | unknown | RoHS: Yes (per distributor listing) |
| Access Time (tAA) | — | 55 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Speed Options | — | 55 ns, 70 ns |