K9F4G08U0B-PCB0 vs MX30LF4GE8AB Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K9F4G08U0B-PCB0 von Samsung Electronics und MX30LF4GE8AB von Macronix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K9F4G08U0B-PCB0 K9F4G08U0B-PCB0 - 4Gbit NAND Flash, 3.3V TSOP-48 | Samsung

K9F4G08U0B-PCB0 - 4Gbit NAND Flash, 3.3V TSOP-48 | Samsung

K9F4G08U0B-PCB0 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K9F4G08U0B-PCB0 MX30LF4GE8AB
Marke Samsung Electronics Macronix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,40 $2,98
Speichertyp NAND Flash (SLC, asynchronous) NAND Flash (SLC)
Density 4 Gbit (512 MB) 4 Gbit (512 M x 8)
Speicherorganisation (512M + 16M) x 8 bit —
Page Size (2 K + 64) byte 2112 bytes (2048 + 64 spare)
Block Size (128 K + 4 K) byte 64 pages (128 KB + 4 KB spare)
Data Register (2K + 64) x 8 bit —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Schnittstelle 8-bit multiplexed NAND I/O Parallel (asynchronous)
Gehäuse TSOP1-48 (12 mm x 20 mm, lead-free) 48-pin TSOP Type-I (48-TSOP)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (commercial) 0C to +70C —
Program/Erase Automatic, on-chip page buffer —
ECC Requirement External (1-bit/512B minimum, 4-bit recommended) —
RoHS-Status Lead-free (Pb-free), RoHS compliant Compliant
Package Suffix Code -PCB0 (TSOP1, 3.3 V, commercial, lead-free) —
Operating Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Access Time — 20 ns
Bus Width — 8-bit (multiplexed I/O)
Standard Compliance — ONFI 1.0
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]
Betriebstemperatur — -40C to +85C (industrial)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status Polling — R/B# open-drain output

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