K9F4G08U0B-PCB0 vs MX30LF4GE8AB Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9F4G08U0B-PCB0 par Samsung Electronics et MX30LF4GE8AB par Macronix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9F4G08U0B-PCB0 K9F4G08U0B-PCB0 - 4Gbit NAND Flash, 3.3V TSOP-48 | Samsung

K9F4G08U0B-PCB0 - 4Gbit NAND Flash, 3.3V TSOP-48 | Samsung

K9F4G08U0B-PCB0 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9F4G08U0B-PCB0 MX30LF4GE8AB
Marque Samsung Electronics Macronix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,40 $2,98
Type de mémoire NAND Flash (SLC, asynchronous) NAND Flash (SLC)
Density 4 Gbit (512 MB) 4 Gbit (512 M x 8)
Organisation de la mémoire (512M + 16M) x 8 bit —
Page Size (2 K + 64) byte 2112 bytes (2048 + 64 spare)
Block Size (128 K + 4 K) byte 64 pages (128 KB + 4 KB spare)
Data Register (2K + 64) x 8 bit —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Interface 8-bit multiplexed NAND I/O Parallel (asynchronous)
Boîtier TSOP1-48 (12 mm x 20 mm, lead-free) 48-pin TSOP Type-I (48-TSOP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (commercial) 0C to +70C —
Program/Erase Automatic, on-chip page buffer —
ECC Requirement External (1-bit/512B minimum, 4-bit recommended) —
Statut RoHS Lead-free (Pb-free), RoHS compliant Compliant
Package Suffix Code -PCB0 (TSOP1, 3.3 V, commercial, lead-free) —
Operating Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Access Time — 20 ns
Bus Width — 8-bit (multiplexed I/O)
Standard Compliance — ONFI 1.0
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]
Température de fonctionnement — -40C to +85C (industrial)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status Polling — R/B# open-drain output

Fiches techniques et ressources

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