K9F4G08U0B-PCB0 vs MX30LF4GE8AB Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K9F4G08U0B-PCB0 por Samsung Electronics e MX30LF4GE8AB por Macronix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K9F4G08U0B-PCB0 K9F4G08U0B-PCB0 - 4Gbit NAND Flash, 3.3V TSOP-48 | Samsung

K9F4G08U0B-PCB0 - 4Gbit NAND Flash, 3.3V TSOP-48 | Samsung

K9F4G08U0B-PCB0 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K9F4G08U0B-PCB0 MX30LF4GE8AB
Marca Samsung Electronics Macronix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,40 $2,98
Tipo de memória NAND Flash (SLC, asynchronous) NAND Flash (SLC)
Density 4 Gbit (512 MB) 4 Gbit (512 M x 8)
Organização da memória (512M + 16M) x 8 bit —
Page Size (2 K + 64) byte 2112 bytes (2048 + 64 spare)
Block Size (128 K + 4 K) byte 64 pages (128 KB + 4 KB spare)
Data Register (2K + 64) x 8 bit —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Interface 8-bit multiplexed NAND I/O Parallel (asynchronous)
Encapsulamento TSOP1-48 (12 mm x 20 mm, lead-free) 48-pin TSOP Type-I (48-TSOP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (commercial) 0C to +70C —
Program/Erase Automatic, on-chip page buffer —
ECC Requirement External (1-bit/512B minimum, 4-bit recommended) —
Status RoHS Lead-free (Pb-free), RoHS compliant Compliant
Package Suffix Code -PCB0 (TSOP1, 3.3 V, commercial, lead-free) —
Operating Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Access Time — 20 ns
Bus Width — 8-bit (multiplexed I/O)
Standard Compliance — ONFI 1.0
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]
Temperatura de operação — -40C to +85C (industrial)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status Polling — R/B# open-drain output

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação