LM358DR vs LM358DG Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von LM358DR von Texas Instruments und LM358DG von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter LM358DR LM358DG
Marke Texas Instruments onsemi
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier —
Number of Circuits 2 —
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs 0.6 V/µs
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) 7 mV
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
Betriebstemperatur 0°C to +70°C —
Gehäuse SOIC-8 (D) 8-SOIC
Montageart Surface Mount Surface mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
RoHS-Status Compliant —
Number of Amplifier Channels — 2 channels
Product Type — Dual operational amplifier
Gain-Bandwidth Product — 1 MHz
Betriebsversorgungsspannung — 3 V to 32 V
Minimum Common-Mode Rejection Ratio — 65 dB
Common-Mode Input Voltage Range — Extends to ground/VEE
Supply Configuration — Single supply or split supply
Power Drain — Low power drain
Temperature Grade — Commercial
Pin-Anzahl — 8 pins
RoHS Compliance — [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
REACH Compliance — [DATA_NEEDED: REACH compliance status]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification status]

Datenblätter & Ressourcen

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