LM358DR vs LM358DG Comparación

Comparación detallada lado a lado de LM358DR por Texas Instruments y LM358DG por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro LM358DR LM358DG
Marca Texas Instruments onsemi
Categoría Amplifier ICs Amplifier ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier —
Number of Circuits 2 —
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs 0.6 V/µs
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) 7 mV
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
Temperatura de funcionamiento 0°C to +70°C —
Encapsulado SOIC-8 (D) 8-SOIC
Tipo de montaje Surface Mount Surface mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
Estado RoHS Compliant —
Number of Amplifier Channels — 2 channels
Product Type — Dual operational amplifier
Gain-Bandwidth Product — 1 MHz
Tensión de alimentación de funcionamiento — 3 V to 32 V
Minimum Common-Mode Rejection Ratio — 65 dB
Common-Mode Input Voltage Range — Extends to ground/VEE
Supply Configuration — Single supply or split supply
Power Drain — Low power drain
Temperature Grade — Commercial
Recuento de pines — 8 pins
RoHS Compliance — [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
REACH Compliance — [DATA_NEEDED: REACH compliance status]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification status]

Hojas de datos y recursos

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