LM358DR vs LM358DG 비교

다음의 상세 나란히 비교: LM358DR 제조: Texas Instruments 및 LM358DG 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 LM358DR LM358DG
브랜드 Texas Instruments onsemi
카테고리 Amplifier ICs Amplifier ICs
수명 주기 상태 활성 활성
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier —
Number of Circuits 2 —
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs 0.6 V/µs
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) 7 mV
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
동작 온도 0°C to +70°C —
패키지 SOIC-8 (D) 8-SOIC
실장 유형 Surface Mount Surface mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
RoHS 상태 Compliant —
Number of Amplifier Channels — 2 channels
Product Type — Dual operational amplifier
Gain-Bandwidth Product — 1 MHz
동작 공급 전압 — 3 V to 32 V
Minimum Common-Mode Rejection Ratio — 65 dB
Common-Mode Input Voltage Range — Extends to ground/VEE
Supply Configuration — Single supply or split supply
Power Drain — Low power drain
Temperature Grade — Commercial
핀 수 — 8 pins
RoHS Compliance — [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
REACH Compliance — [DATA_NEEDED: REACH compliance status]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification status]

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