LM358DR vs LM358DG Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de LM358DR par Texas Instruments et LM358DG par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre LM358DR LM358DG
Marque Texas Instruments onsemi
Catégorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier —
Number of Circuits 2 —
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs 0.6 V/µs
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) 7 mV
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
Température de fonctionnement 0°C to +70°C —
Boîtier SOIC-8 (D) 8-SOIC
Type de montage Surface Mount Surface mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
Statut RoHS Compliant —
Number of Amplifier Channels — 2 channels
Product Type — Dual operational amplifier
Gain-Bandwidth Product — 1 MHz
Tension d'alimentation de fonctionnement — 3 V to 32 V
Minimum Common-Mode Rejection Ratio — 65 dB
Common-Mode Input Voltage Range — Extends to ground/VEE
Supply Configuration — Single supply or split supply
Power Drain — Low power drain
Temperature Grade — Commercial
Nombre de broches — 8 pins
RoHS Compliance — [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
REACH Compliance — [DATA_NEEDED: REACH compliance status]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification status]

Fiches techniques et ressources

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