LM358DR vs LM358DG Comparação

Comparação detalhada lado a lado de LM358DR por Texas Instruments e LM358DG por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro LM358DR LM358DG
Marca Texas Instruments onsemi
Categoria Amplifier ICs Amplifier ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier —
Number of Circuits 2 —
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs 0.6 V/µs
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) 7 mV
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
Temperatura de operação 0°C to +70°C —
Encapsulamento SOIC-8 (D) 8-SOIC
Tipo de montagem Surface Mount Surface mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
Status RoHS Compliant —
Number of Amplifier Channels — 2 channels
Product Type — Dual operational amplifier
Gain-Bandwidth Product — 1 MHz
Tensão de alimentação de operação — 3 V to 32 V
Minimum Common-Mode Rejection Ratio — 65 dB
Common-Mode Input Voltage Range — Extends to ground/VEE
Supply Configuration — Single supply or split supply
Power Drain — Low power drain
Temperature Grade — Commercial
Contagem de pinos — 8 pins
RoHS Compliance — [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
REACH Compliance — [DATA_NEEDED: REACH compliance status]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification status]

Fichas técnicas e recursos

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