M29DW323DB70N3E vs M29W160EB70N3E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29DW323DB70N3E von Micron Technology und M29W160EB70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29DW323DB70N3E | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,55 | $1,76 |
| Speichertyp | Flash - NOR | FLASH - NOR |
| Memory Format | FLASH | — |
| Technology | FLASH - NOR Memory IC | — |
| Density | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) | — |
| Memory Organization | 4M x 8 / 2M x 16 | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Versorgungsspannung | 3 V class (per manufacturer datasheet) | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Gehäuse | 48-TSOP I | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Location | Bottom (DB variant) | — |
| Byte/Word Organization Select | Yes (BYTE pin) | — |
| Applications Domain | Embedded code storage / XIP | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] | — |
| Speichergröße | — | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| Speicherorganisation | — | 2M x8 / 1M x16 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us (typical) |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| Gehäuse / Bauform | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |