M29DW323DB70N3E vs M29W160EB70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29DW323DB70N3E par Micron Technology et M29W160EB70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29DW323DB70N3E | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,55 | $1,76 |
| Type de mémoire | Flash - NOR | FLASH - NOR |
| Memory Format | FLASH | — |
| Technology | FLASH - NOR Memory IC | — |
| Density | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) | — |
| Memory Organization | 4M x 8 / 2M x 16 | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 3 V class (per manufacturer datasheet) | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Boîtier | 48-TSOP I | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Location | Bottom (DB variant) | — |
| Byte/Word Organization Select | Yes (BYTE pin) | — |
| Applications Domain | Embedded code storage / XIP | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| Organisation de la mémoire | — | 2M x8 / 1M x16 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us (typical) |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| Boîtier / Format | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |