M29DW323DB70N3E vs M29W160EB70N3E 比較

詳細な並列比較: M29DW323DB70N3E メーカー: Micron Technology および M29W160EB70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29DW323DB70N3E M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E ✓ 生産中
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M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29DW323DB70N3E M29W160EB70N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.55 $1.76
メモリタイプ Flash - NOR FLASH - NOR
Memory Format FLASH —
Technology FLASH - NOR Memory IC —
Density 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) —
Memory Organization 4M x 8 / 2M x 16 —
インターフェース Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
電源電圧 3 V class (per manufacturer datasheet) —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
パッケージ 48-TSOP I —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Boot Block Location Bottom (DB variant) —
Byte/Word Organization Select Yes (BYTE pin) —
Applications Domain Embedded code storage / XIP —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: standard pack quantity] —
メモリサイズ — 16 Mbit (2M x8, 1M x16)
メモリ構成 — 2M x8 / 1M x16
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming Time — 10 us (typical)
Cell Type — SLC NOR
パッケージ / ケース — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Packaging — Tray
Speed Grade — -70
FBGA Code — N/A (TSOP package)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

データシート&リソース

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