M29DW323DB70N3E vs M29W160EB70N3E Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29DW323DB70N3E por Micron Technology y M29W160EB70N3E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | M29DW323DB70N3E | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,55 | $1,76 |
| Tipo de memoria | Flash - NOR | FLASH - NOR |
| Memory Format | FLASH | — |
| Technology | FLASH - NOR Memory IC | — |
| Density | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) | — |
| Memory Organization | 4M x 8 / 2M x 16 | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tensión de alimentación | 3 V class (per manufacturer datasheet) | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulado | 48-TSOP I | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Location | Bottom (DB variant) | — |
| Byte/Word Organization Select | Yes (BYTE pin) | — |
| Applications Domain | Embedded code storage / XIP | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] | — |
| Tamaño de memoria | — | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| Organización de memoria | — | 2M x8 / 1M x16 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us (typical) |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| Encapsulado / Carcasa | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |