M29F160FB55N3E2 vs M29F160FB55N3F2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F160FB55N3E2 von Micron Technology und M29F160FB55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ Aktiv
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3F2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,72 $5,60
Speichertyp NOR Flash - Parallel, Asynchronous Parallel NOR Flash
Density 16777 kbits (16 Mbit) 16777 kbits (16 Mbit)
Speicherorganisation 1 M x 16 / 2 M x 8 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Schnittstelle Parallel Parallel
Boot Block Bottom Boot Block (FB) —
Programming Algorithm Embedded byte/word program and erase controller —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C -40 to +125 C
Gehäuse 48-TSOP I —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
RoHS-Status ROHS3 Compliant Compliant (lead-free)
Lead Free Status Lead Free —
Versorgungsspannung — 5 V
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern