M29F160FB55N3E2 vs M29F160FB55N3F2 Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29F160FB55N3E2 por Micron Technology y M29F160FB55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | M29F160FB55N3E2 | M29F160FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Obsolete |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,72 | $5,60 |
| Tipo de memoria | NOR Flash - Parallel, Asynchronous | Parallel NOR Flash |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Organización de memoria | 1 M x 16 / 2 M x 8 | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits |
| Number of Words | 1000 k | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Boot Block | Bottom Boot Block (FB) | — |
| Programming Algorithm | Embedded byte/word program and erase controller | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40 C to +125 C | -40 to +125 C |
| Encapsulado | 48-TSOP I | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Estado RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant (lead-free) |
| Lead Free Status | Lead Free | — |
| Tensión de alimentación | — | 5 V |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block |
| Package Type | — | 48-TSOP |
| Termination Finish | — | Lead-free (F2 suffix) |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Block Protection | — | Hardware boot block protection |
| Speed Grade (from MPN) | — | 55 (55 ns) |