M29F160FB55N3E2 vs M29F160FB55N3F2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F160FB55N3E2 от Micron Technology и M29F160FB55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3F2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,72 $5,60
Тип памяти NOR Flash - Parallel, Asynchronous Parallel NOR Flash
Density 16777 kbits (16 Mbit) 16777 kbits (16 Mbit)
Организация памяти 1 M x 16 / 2 M x 8 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Интерфейс Parallel Parallel
Boot Block Bottom Boot Block (FB) —
Programming Algorithm Embedded byte/word program and erase controller —
Рабочая температура -40 C to +125 C -40 to +125 C
Корпус 48-TSOP I —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Статус RoHS ROHS3 Compliant Compliant (lead-free)
Lead Free Status Lead Free —
Напряжение питания — 5 V
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену