M29F160FB55N3E2 vs M29F160FB55N3F2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29F160FB55N3E2 par Micron Technology et M29F160FB55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29F160FB55N3E2 | M29F160FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,72 | $5,60 |
| Type de mémoire | NOR Flash - Parallel, Asynchronous | Parallel NOR Flash |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Organisation de la mémoire | 1 M x 16 / 2 M x 8 | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits |
| Number of Words | 1000 k | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Boot Block | Bottom Boot Block (FB) | — |
| Programming Algorithm | Embedded byte/word program and erase controller | — |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | -40 to +125 C |
| Boîtier | 48-TSOP I | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Statut RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant (lead-free) |
| Lead Free Status | Lead Free | — |
| Tension d'alimentation | — | 5 V |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block |
| Package Type | — | 48-TSOP |
| Termination Finish | — | Lead-free (F2 suffix) |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Block Protection | — | Hardware boot block protection |
| Speed Grade (from MPN) | — | 55 (55 ns) |